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¡Descubrimiento! Kioxia desarrolló productos de memoria flash NAND de 170 capas

El fabricante japonés de chips Kioxia ha desarrollado aproximadamente 170 capas de memoria flash NAND y ha obtenido esta tecnología de vanguardia junto con Micron y SK Hynix.


La Nikkei Asian Review informó que esta nueva memoria NAND se desarrolló conjuntamente con Western Digital, un socio estadounidense, y su velocidad de escritura de datos es más del doble que la del producto principal actual de Kioxia (112 capas).

Además, Kioxia también ha instalado con éxito más celdas de memoria en cada capa de la nueva NAND, lo que significa que en comparación con la memoria de la misma capacidad, puede encoger el chip en más de un 30%. Los chips más pequeños permitirán una mayor flexibilidad en la construcción de teléfonos inteligentes, servidores y otros productos.

Se informa que Kioxia planea lanzar su nuevo NAND en la Conferencia Internacional de Circuitos de Estado Sólido en curso, y se espera que comience la producción en masa el próximo año.

Con el auge de la tecnología 5G y la transmisión de datos a mayor escala y más rápida, Kioxia espera aprovechar la demanda relacionada con los centros de datos y los teléfonos inteligentes. Sin embargo, la competencia en este campo se ha intensificado. Micron y SK Hynix han anunciado NAND de 176 capas antes de Kioxia.

Para aumentar la producción de memoria flash, Kioxia y Western Digital planean construir una fábrica de 1 billón de yenes ($ 9.450 millones) en Yokkaichi, Japón, esta primavera. Su objetivo es abrir las primeras líneas de producción en 2022. Además, Kioxia también ha adquirido muchas fábricas junto a la fábrica de Kitakami en Japón para poder ampliar la capacidad de producción según sea necesario en el futuro.