Intel toma la iniciativa con la nueva tecnología EUV, mientras que TSMC se centra en la estrategia rentable

La carrera entre TSMC, Intel y Samsung para avanzar en las tecnologías de procesos de semiconductores continúa atrayendo una intensa atención de la industria.Si bien Intel planea adoptar litografía ultravioleta extrema de alta apertura numérica (High-NA EUV) para su nodo 18A en 2026, TSMC ha anunciado que no utilizará esta tecnología incluso para su proceso A14 programado para la producción de masas en 2028. Las diferentes estrategias destacan una divergencia importante: TSMC está priorizando el costo.

El ex CEO de Intel, Pat Gelsinger, admitió anteriormente que la renuencia de la compañía a adoptar las herramientas EUV de ASML anteriormente era un paso en falso crítico, contribuyendo al retraso de Intel en las capacidades de fundición.Como resultado, la industria está observando de cerca los planes de Intel y TSMC de adoptar EUV High-NA, viéndolo como un punto de referencia en su competencia por el liderazgo de procesos.

En el Simposio de Tecnología de TSMC el año pasado, el Vicepresidente Senior de Desarrollo de Negocios y el Co-Coo Kevin Zhang reveló que el próximo proceso A16 no incorporará herramientas EUV de alta NA.Elogió el rendimiento de la tecnología, pero enfatizó que el costo era prohibitivamente alto.

Según los informes, Intel ha asegurado los cinco sistemas EUV de alta NA que ASML planea producir este año, subrayando su estrategia agresiva y atrayendo atención generalizada de la industria.

Más recientemente, TSMC confirmó durante otro foro de tecnología que el proceso A14 tampoco utilizará EUV High-NA.Mientras tanto, Intel continúa planeando la integración de la tecnología con su nodo 18A para 2026, reavivando el debate de la industria.

Zhang explicó que TSMC tiene como objetivo minimizar el número de máscaras requeridas para cada nueva generación de procesos, un factor clave para gestionar la eficiencia de la rentabilidad.Para el nodo A14, la decisión de no adoptar EUV High-NA se basa completamente en la rentabilidad: usar la tecnología podría aumentar los costos de procesos hasta en cuanto a 2.5 veces en comparación con el EUV convencional.

Los expertos de la industria también señalaron las diferencias estratégicas entre TSMC y Samsung con respecto a la adopción de la arquitectura de transistores Gate-All-Around (GAA).Mientras Samsung tomó la ventaja implementando GAA en el nodo 3NM, TSMC decidió retrasar su adopción hasta el proceso de 2 nm, programado para la producción en masa en la segunda mitad de este año.

Aunque inicialmente se esperaba que Samsung ganara una ventaja competitiva en 2NM al aprovechar su experiencia temprana de GAA, el rendimiento estable de 3NM de TSMC le ha permitido tomar una parte significativa del auge del mercado impulsado por AI.Su desarrollo de 2NM permanece en camino, solidificando aún más su liderazgo.Por lo tanto, a pesar del movimiento temprano de Intel para adoptar EUV High-NA, sigue siendo incierto si esto solo será suficiente para reclamar el dominio de la industria.