Samsung planea entregar muestras del chip HBM4E a NVIDIA en mayo

Samsung Electronics planea producir las primeras muestras de su memoria de alto ancho de banda (HBM4E) de próxima generación a principios de mayo y entregar los chips a NVIDIA luego de la validación interna.

La compañía está acelerando el desarrollo de sus productos HBM de séptima generación para mantener su fuerte impulso en el mercado de memorias de inteligencia artificial (IA) en rápido crecimiento.Samsung planea producir primero muestras iniciales que cumplan con los niveles de rendimiento esperados antes de entregarlas a los clientes.

Se espera que la división de fundición de Samsung produzca muestras de chips lógicos para HBM4E a mediados de mayo.Estos componentes luego se transferirán a la división de memoria para empaquetarlos con DRAM.Las muestras terminadas se someterán a evaluaciones de rendimiento internas antes de ser entregadas a NVIDIA.

Samsung presentó previamente un chip físico HBM4E en la conferencia GTC 2026 en marzo.Sin embargo, los expertos de la industria generalmente ven el chip más como una muestra de demostración que como un producto que cumple con los requisitos de rendimiento comercial.Se espera que el chip alcance una velocidad de transferencia de datos de hasta 16 Gbps por pin y un ancho de banda de hasta 4,0 TB/s, lo que representa una mejora con respecto al HBM4.

Samsung se esfuerza por consolidar su ventaja de ser el primero en la producción en masa del HBM4 y está adoptando tecnologías de proceso más avanzadas que sus competidores.Según fuentes de la industria, se espera que Samsung fabrique los chips lógicos utilizando un proceso de 4 nm y los chips DRAM utilizando un proceso de 10 nm (clase 1c).

El competidor SK Hynix también está acelerando la investigación y el desarrollo de HBM4E y planea adoptar procesos de chips lógicos y DRAM más avanzados.

Los planes de producción para la plataforma Vera Rubin AI de NVIDIA (que utilizará HBM4 y HBM4E) han sufrido algunos ajustes, pero Samsung está intensificando sus esfuerzos para evitar repetir los errores cometidos en el mercado de HBM3E.