Se espera que la primera línea de producción de obleas GaN de 8 pulgadas de Samsung comience la producción en masa ya en el segundo trimestre

Según un informe del medio de comunicación surcoreano The Elec, se espera que la primera línea de producción de obleas de nitruro de galio (GaN) de 8 pulgadas de Samsung entre en producción en masa ya en el segundo trimestre de 2026, y se prevé que los ingresos iniciales se mantengan por debajo de los 100 mil millones de wones.

El informe señala que Samsung ha establecido un ecosistema integral de soluciones de GaN que cubre todo excepto el diseño de chips y posee la capacidad de producir de forma independiente obleas epitaxiales de GaN.

Además, Samsung planea lanzar operaciones para su línea de fundición de semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC) durante este año.La empresa posee capacidades de extremo a extremo en el segmento de SiC, incluido el diseño, que pueden complementar la tecnología GaN en diferentes rangos de voltaje.

Informes anteriores también revelaron que Samsung ha invertido aproximadamente entre 100 y 200 mil millones de wones en equipos de proceso avanzado, incluidos los sistemas MOCVD de Aixtron, para respaldar el procesamiento de obleas de silicio, galio y nitruro de galio.